住ベリサーチ株式会社 プラスチック分析評価・情報調査の、新たなステージを創造する。
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3. 組成・形態解析

3-2. 形態解析及び表面分析

項   目
仕   様
内   容
分析透過電子顕微鏡
FE-TEM
  試料前処理
ミクロトーム(室温)
クライオミクロトーム
染色
FIBマイクロサンプリング
(TEMモード) 分解能:0.10nm
加速電圧:100〜200kV
倍率:200〜1,500,000倍
画素数:1280×1024
CCDカメラ撮影
観察倍率
  10万倍未満
  10万倍以上40万倍未満
  40万倍以上
(STEMモード) 分解能:0.24nm
検出信号:二次電子像
Zコントラスト像(HAADF像)
明視野像
観察倍率
  20万倍未満
  20万倍以上100万倍未満
  100万倍以上
(EDX) エネルギー分散法
エネルギー分解能:144eV
分析範囲:B〜U
定性分析
マッピング
線分析
走査電子顕微鏡
(FE-SEM)
分解能:1.5nm(15kV)、4.0nm(1kV)
加速電圧:0.5〜25kV
倍率:50〜300,000倍
試料前処理
  研磨
  特殊研磨  任意の部位
   指定部位
   チップ関連
  表面処理
  立体表面処理
  FIB加工
写真撮影
  2万倍未満
  2万倍以上5万倍未満
  5万倍以上10万倍未満
  10万倍以上
(EDX) エネルギー分散法
分析範囲:B〜U
定性分析
マッピング
集束イオンビーム装置
FIB
分解能:10nm
加工位置精度:100nm
マイクロサンプリング機能
 
低真空走査電子顕微鏡
(SEM)
分解能:6nm(2次電子像)
加速電圧:0.5〜25kV
倍率:20〜5,000倍
 
(EDX) エネルギー分散法
分析範囲:B〜U
定性分析
マッピング
光学顕微鏡・
デジタル
マイクロスコープ
   
X線プローブ
マイクロアナライザー
(EPMA)
分解能:6nm(2次電子像)
加速電圧:0.2〜40kV
倍率:40〜10,000倍
試料前処理
写真撮影
  1万倍未満
        組写真
(WDX) 波長分散法
分析範囲:B〜U
測定面積:10μm〜8cm角
定性分析
カラーマッピング(4元素)
  強度表示
  濃度表示
特殊測定(長時間、超微量)
定量分析
相分析
データ処理
特殊解析
画像解析 粒子解析
  (パラメータ)・面積・長さ・幅
  ・円相当径 ・周囲長・包絡周囲長
  ・方向・重心位置 ・形状係数
  ・分散指数 など
画像処理
画像測定
データ処理
X線光電子分光分析
(XPS、ESCA)
分析元素:Li〜U
X線源:Mg Kα
     単色化X線(Al)
分析面積:0.02mmφ〜2×3mm
分析領域として600μmφ以上とれるもの
ワイドスキャン
化学結合状態の解析
デプス分析
ワイドスキャン(表面)
微小領域分析
  300μmφ(分析領域として500μmφ以上必要)
  150μmφ(分析領域として250μmφ以上必要)
  60μmφ(分析領域として120μmφ以上必要)
飛行時間型二次イオン
質量分析
(TOF-SIMS)
質量分解能:≧9000
       (FWHM@m/z=28Si+
       ≧15000
 
分析試験項目
1.物性解析
1-1. 機械試験
1-2. 電気試験
1-3. 粘弾性試験
1-4. 熱特性試験
1-5. 流動性試験
1-6. ガス透過度測定
1-7. 燃焼性試験
1-8. 光関係測定
1-9. 密度測定
1-10. シミュレーション
1-11. 試験片作製、他
2.耐久性試験
2-1. 促進耐候性試験
2-2. 超促進耐候性
   試験
2-3. 疲労・
   クリープ試験
2-4. 塩水噴霧試験、
   複合サイクル
   試験
2-5. 耐熱・耐湿試験
2-6. その他
   耐久性試験
3.組成・形態解析
3-1. 元素分析
3-2. 形態解析及び
   表面分析
3-3. 化合物及び
   ガス分析
3-4. 分子量、
   分子量分布
3-5. その他
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